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技术参数

    反应烧结碳化硅产品主要技术参数

    Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products

     

    项目
    (item)

    单位
    (unit)

    指标
    （Date）

    使用温度
    （applicationtemperature）

    ℃

    1380

    密度
    （density）

    G/cm3

    ≥3.02

    气孔率
    （open porosity）

    %

    ≤0.1

    抗弯强度
    (bending strength)

    Mpa

    250(20℃)

    Mpa

    280(1200℃)

    弹性模量
    （modul us of elasticity）

    Gpa

    330（20℃）

    Gpa

    300（1200℃）

    导热系数
    （Thermal Conductivity）

    W/（M.K）

    45（1200℃）

    热膨胀系数 
    (coefficient ofthermal expansion)

    K-1×10-6

    4.5

    莫氏硬度
    （rigidity）

     

    9

    耐酸碱性
    （acid&alkali resistance）

     

    优


无压烧结碳化硅陶瓷技术参数

Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics

项目
(item)

单位
(unit)

SSIC

使用温度
（applicationtemperature）

℃

1900

硬度Hv
（Hardness Hv1）

HRA

≥92

抗压强度
(compressive strength)

MPa

≥2600

抗弯强度
(bending strength)

MPa

≥400

碳化硅量
(Sic Content)

%

≥99

弹性模量
(modulus of elasticity)

MPa

410

导热系数
（Thermal Conductivity）

W/（M.K）

100-120

热膨胀系数 
(coefficient ofthermal expansion)

i/℃

4.0

气孔率
(open porosity)

%

＜0.1

泊松比
(Posisson’s Ration)

 

0.16




氮化硅陶瓷技术参数

Technical parameters of silicon nitride ceramics

密度
g/cm3

相对密度
%

弹性模量
Gpa
压碎载荷比（25℃）
%

硬度（HV）
MPa

3.2±0.03

>99.5

300~320
30~35

1600-1800

断裂韧性
/MPa▪m1/2

抗弯强度
MPa

泊松比
线膨胀系数
10-6K-1

韦泊模数

6.0~7.0

600~700

0.25
3.0~3.2

10~12

热导率
W▪（m▪K）-1

比电阻率

耐酸碱腐蚀性
尺寸稳定性

磁性

15~20

1018

优
优

无



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